第四篇：算力基础设施核心龙头抓紧看：算力基建迎爆发期！液冷+电源+AIDC+算力租赁
天岳先进将碳化硅材料引入AI芯片先进封装散热环节
9月11日，天岳先进在2026年半年度业绩说明会上表示，公司已围绕先进封装散热中介层等方向持续布局，相关工作正在与下游客户协同推进之中。
随着AI算力密度持续提升，先进封装在实现更高集成度的同时，散热与热管理压力明显加大。天岳先进在说明会上指出，碳化硅具备高导热、耐高温等特性，用于先进封装相关散热及中介层等方向，有助于改善热传导效率、支撑更高功率密度下的系统稳定性，并在部分方案中兼顾集成密度与封装形态优化等需求。
这一布局的背景是AI芯片封装技术演进的现实压力。据国投证券4月发布的行业报告，CoWoS等先进封装已成为GPU与HBM高带宽互连的重要路径，但更高的热设计功耗与更大的互连跨度使热点温升、热膨胀系数失配与可靠性问题日益凸显。碳化硅的热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲，作为散热基座时可缩短热扩散路径。
天岳先进此番切入散热领域，与其在碳化硅衬底主业上的市场地位直接相关。根据日本富士经济2026年3月发布的报告，2025年该公司在全球导电型碳化硅衬底材料市场中以27.6%的份额位居第一，其中8英寸产品市占率高达51.3%。不过财务层面，天岳先进2025年实现营业收入14.65亿元，归母净利润亏损2.08亿元，营收同比下滑主要受碳化硅衬底产品平均销售价格阶段性下调影响。将碳化硅从功率器件衬底向AI芯片散热环节延伸，是该公司在主营业务承压背景下寻找新增长点的战略动作。
行业对碳化硅在这一方向上的角色存在不同判断。有分析指出，当前主流的CoWoS-L及下一代CoPoS封装技术路线并未将碳化硅纳入中介层方案，碳化硅的技术定位更接近于对标上一代CoWoS-S的硅中介层。这意味着天岳先进的散热方案能否在高端封装领域获得规模采用，仍需观察下游客户的验证进展。
从商业化的角度，碳化硅材料成本相对较高，散热方案又往往涉及芯片架构的底层设计，客户更换供应商的试错成本较大。天岳先进在说明会上确认已与客户展开合作，但距离形成稳定业绩贡献，仍需经历较长的验证周期。
本文由AI辅助生成
