存储芯片股盘初集体走强，闪迪涨超5%领涨板块

盘初集体拉升，费城半导体指数涨超2%

北京时间9月4日晚间，美股开盘后存储板块集体走强。闪迪（SNDK.US）盘初涨逾5%，领涨存储芯片概念股。希捷科技（STX.US）涨逾4%，美光科技（MU.US）、西部数据（WDC.US）、SK海力士（SKHY.US）涨幅均超过3%。据公开市场数据，截至盘初，美光科技上涨3.61%，SK海力士上涨2.64%，西部数据上涨2.87%。费城半导体指数同步上涨2.14%，半导体板块整体获得提振。

此次上涨发生于半导体板块经历两个交易日承压之后。9月4日盘前，存储芯片股已显露反弹迹象——闪迪、希捷科技、迈威尔科技盘前涨超2%，SK海力士、美光科技、西部数据盘前涨逾1%。盘初的集体走强将盘前涨幅进一步放大。

美光HBM4扩产与AI算力需求共振

从消息面看，美光科技的扩产计划是当日最直接的催化剂。据韩国媒体《ETNews》报道，美光计划在2026年底前进行大规模设备投资，全力提升最新一代HBM4 12层产品产能，目标新增最多6万片/月晶圆产能。去年美光HBM月产量约为4万至5万片，扩产后年末产能有望达到约10万片/月，规模接近翻倍。此番扩产意在缩小与三星电子、SK海力士之间的HBM产能差距，抢占AI高带宽存储市场份额。

AI基础设施对存储芯片的消耗仍在持续放大。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度NAND市场规模环比增长70%，价格大涨55%，AI需求持续使DRAM供应维持紧张。戴尔在最新季报中披露，其AI服务器积压订单已达950亿美元。戴尔首席运营官Jeffrey Clarke称，当前最大的供应瓶颈仍是“DRAM、DRAM、DRAM，其次是NAND、NAND、NAND”。这一判断与存储芯片厂商的产能扩张形成呼应——下游需求未见松动，上游扩产意在缓解而非消除缺口。

美债收益率回落与机构观点分歧

宏观层面也为科技股反弹提供了条件。美联储理事Christopher Waller近日表示，若通胀继续降温，美联储可能无需进一步加息。这一表态推动美国10年期国债收益率回落至4.75%附近，缓解了科技股的估值压力。

机构对存储行业前景的判断存在温差。野村证券9月4日发布报告指出，全球存储器基本面与股价表现出现落差，该行维持三星电子及SK海力士“买入”评级，认为AI投资良性循环带动的强劲需求叠加供应扩张有限，将继续支撑行业前景。高盛则在9月1日的存储价格跟踪报告中表示，2026年三季度DRAM与NAND平均售价走势与此前预期基本吻合，存储芯片整体仍处于景气上升通道。但群智咨询同日发布的存储价格风向标显示，三季度DRAM、NAND全品类价格虽仍维持环比上行，涨幅较二季度已明显收敛，部分存储芯片环比涨幅收窄至10%以内。

产业链传导与行业格局演变

存储芯片是本轮AI算力投资中受益最直接的环节之一。据公开信息，2026年以来闪迪累计涨幅显著，美光科技在2026财年第三季度实现营收415亿美元。美光预计第四季度营收将在490亿至510亿美元之间。但存储芯片的商品化属性决定了其周期性风险始终存在——产能扩张与需求放缓之间的时滞，是市场反复博弈的焦点。

从产业链传导看，AI服务器对高带宽存储的需求正在重塑存储行业的产品结构。企业级SSD在NAND总出货量中的占比持续攀升，AI从训练走向推理阶段，存储需求量进一步放大。同时，中国存储厂商的市场份额正在上升——据Counterpoint数据，长鑫存储第二季度已拿下全球DRAM营收的10%，高于一年前的4%。这一变化意味着全球存储市场的竞争格局正在发生结构性调整，现有头部厂商的扩产决策既是对AI需求的响应，也是对市场份额变化的防御。

投资有风险，本文仅供参考，不构成投资建议。

本文由AI辅助生成