普冉19倍利润狂潮！存储黑马还能追吗
长鑫科技上半年净利776亿元 扭亏为盈创中国半导体盈利新高
2026年8月28日，长鑫科技（原长鑫存储）发布半年度报告，公司实现归属于母公司股东的净利润776.05亿元，同比大幅扭亏，2025年同期亏损为23.32亿元。这一业绩不仅创下中国半导体企业单期盈利纪录，也反映出全球DRAM市场供需格局的深刻变化。
产能释放叠加价格反弹 周期拐点显现
长鑫科技自2019年量产首颗国产DRAM芯片以来，长期处于行业下行周期，受制于技术追赶、客户导入缓慢及国际厂商价格竞争，2022至2025年累计亏损超百亿元。转机出现在2025年下半年，AI大模型训练对高带宽内存（HBM）需求激增，促使三星、SK海力士等头部厂商将产能向HBM倾斜，标准DRAM扩产放缓。据市场数据，2026年上半年全球DRAM现货价格累计上涨逾120%。长鑫科技在公告中表示，业绩增长“主要受到全球算力需求快速增长和主要厂商产能调配等因素影响”。
切入服务器市场 技术与客户双突破
外部价格上行之外，内生能力提升是盈利可持续的关键。公司披露，其1αnm（17-19nm）工艺节点DRAM产品已通过多家国内服务器厂商验证并开始批量供货，标志着长鑫正式进入数据中心这一高毛利市场，摆脱此前依赖消费电子领域的局限。
财务数据显示，公司上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%。该增速既包含价格因素，也体现销量显著提升。基本每股收益达1.2893元/股，表明盈利主要来自主营业务，而非一次性资产处置。
高景气难掩结构性挑战
尽管短期业绩亮眼，DRAM行业强周期属性未改。当前服务器厂商库存已回升至近两个季度高位，若AI领域资本开支节奏放缓，可能抑制后续采购需求。技术层面，长鑫尚未公布HBM3E或下一代HBM4的量产计划，与国际领先水平仍存在1至2代差距。
此外，在中美科技竞争持续背景下，长鑫产线中国产设备与材料使用比例逐步提高，虽增强了供应链安全性，但也可能限制其获取先进光刻设备的能力，对长期技术演进构成潜在制约。
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