实探露笑科技合肥第三代半导体工厂，碳化硅衬底生产进展如何？
2026年8月19日上午，浙江诸暨一家洁净厂房内，机械臂正将一片片泛着金属光泽的8英寸碳化硅晶圆从高温炉中缓缓取出。这些直径200毫米的半导体衬底片，标志着露笑科技股份有限公司在宽禁带半导体材料领域迈出关键一步。
当日，露笑科技在投资者互动平台披露，公司已成功突破8英寸及12英寸碳化硅衬底的核心技术瓶颈，其中8英寸产品已形成稳定销售，12英寸碳化硅衬底的研发与市场拓展工作同步推进。这一进展意味着我国在第三代半导体关键基础材料的自主供应能力上取得实质性提升。
填补国内大尺寸碳化硅衬底量产空白
碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，广泛应用于新能源汽车、5G通信、轨道交通和智能电网等领域。相较于传统硅基器件，碳化硅器件具备耐高压、耐高温、高频高效等优势。然而，长期以来，大尺寸高质量碳化硅衬底的制备技术被国外企业主导，尤其是8英寸及以上规格，国内尚处于产业化初期。
据行业分析机构Yole Développement 2026年7月发布的报告，全球碳化硅功率器件市场预计将在2030年突破百亿美元，其中衬底成本占器件总成本的40%以上。露笑科技此次实现8英寸衬底的销售，有助于降低下游器件厂商的原材料依赖和采购成本，对构建本土化供应链具有战略意义。
技术突破推动产业链协同升级
露笑科技自2020年布局碳化硅业务以来，通过自建晶体生长实验室、引进国际设备及人才，逐步攻克了晶体缺陷控制、热场设计、切磨抛工艺等关键技术环节。公司此前已实现6英寸碳化硅衬底的批量供应，此次8英寸产品的商业化，标志着其技术路线从“跟跑”向“并跑”过渡。
业内专家指出，8英寸衬底的量产可显著提升单片晶圆的芯片产出数量，理论上较6英寸提升约78%，从而摊薄单位芯片成本。不过，要实现12英寸衬底的稳定量产，仍需解决晶体应力、翘曲度控制等更高阶技术难题。露笑科技表示，12英寸项目目前处于客户验证阶段，尚未形成销售收入。
随着国家“十四五”规划对第三代半导体产业的持续支持，以及新能源汽车和光伏逆变器等领域对高性能功率器件需求激增，国内碳化硅产业链正加速整合。露笑科技的进展为上游材料环节注入新动力，但能否在良率、一致性及成本控制上与国际头部企业竞争，仍需市场进一步检验。
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