清华大学发布讣告：中国科学院院士周炳琨逝世，享年90岁，系我国激光及信息光电子学领域奠基人和开拓者之一
九旬科学家落幕：中国半导体材料事业的开拓者
据公开信息，我国第一颗直拉硅单晶的主要研制者之一、南开大学电子信息与光学工程学院丁守谦教授，于2026年9月5日在天津逝世，享年97岁。
丁守谦1930年出生于湖南攸县，九三学社社员。1953年毕业于北京大学物理系本科，1956年获北京大学物理系研究生学历，后被分配到南开大学物理系任助教。
1959年9月15日：一颗硅单晶与一个时代的开端
1958年，丁守谦调任天津703厂（现中电科46所）技术员。同年9月，天津市公安局在玛钢厂成立“601实验所”，丁守谦被任命为硅单晶研究小组组长。小组共7人，除一位年近六旬的长者外，其余成员年龄均在30岁以下。
当时条件极为简陋——两间空平房，一无所有。丁守谦后来回忆，他到书店搜集资料时，厂长叮嘱“见到有硅字的书就买”。团队从俄文版《半导体冶金学》和黄昆、谢希德合著的《半导体物理学》中获取基础知识。
硅的熔点为1415℃，化学特性活泼，须在真空或惰性气体保护下熔化。团队利用废弃高压变压器产生高频振荡将硅粉熔化成硅块。在无现成设备可参照的情况下，丁守谦凭记忆复述在北京看到的锗单晶炉构造，由组员绘图，玛钢厂各工种配合制造。经改进设计，在炉壁和提拉杆上加装水冷套、增设观察窗。
1959年9月15日，团队用自制硅单晶炉拉制出中国首个纯度达3个9的直拉硅单晶。1960年，团队又实现7个9纯度的区熔硅单晶。
从硅单晶到显示技术：跨越半个世纪的学术足迹
1973年，丁守谦调回南开大学电子科学系任讲师。1985年作为访问学者赴西德图屏根大学应用物理研究所，与电子光学专家弗·棱茨（F·Lenz）教授合作研究。1986年晋升为教授。
丁守谦长期从事电子光学研究，创建“非近轴光学”理论，拓展高斯近轴光学。发表论文80余篇，出版多本专著。1989年，其“双线圈回归法偏转磁场测量及精度自检验系统”获国家发明二等奖。研发的“四探针法普遍公式”和“Q表法最佳频率选定公式”两项硅单晶纯度检测技术被定为国家标准，沿用至今。
丁守谦还推动创办国际信息显示学会（SID）北京分会并担任第一、二届理事长。1989年起，受国家委托面向产业界举办企业领导培训班，被尊称为中国偏转线圈的“开山鼻祖”。21世纪初，他为推动中国3G自主标准发展作出重要贡献，与业内专家并称“TD三剑客”。
2026年9月7日，九三学社中央公示第八批“九三楷模”拟表彰人选，丁守谦位列其中。公示称其“90多岁高龄，依然活跃在科研创新一线”。就在数月前，96岁的丁守谦在“天津九三楷模”表彰活动中发表获奖感言时说：“我很幸运遇见了一个伟大的时代，遇见了一个创造奇迹的时代，我为自己能够在科技战线上尽一些力感到自豪。”
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