活久见，内存和SoC的价格真的倒挂了，12+256GB内存组合当前采购价约2200，内存已经成为手机BOM成本第一大户！
DRAM连续两季上行 供应紧张未现缓解
2026年第三季度，DRAM现货与合约价格继续走高。北京君正集成电路股份有限公司（下称“君正股份”）8月31日披露的投资者关系活动记录显示，三季度DRAM需求坚挺、供应紧张，公司预判四季度涨价态势仍将延续。这是该公司继二季度之后，再次确认存储芯片价格处于上行通道。
与过去几轮由手机、PC驱动的存储周期不同，本轮涨价的直接推手来自AI服务器对高容量、高带宽存储器的集中采购。据君正股份披露，大容量512Mb Flash产品受AI服务器需求增长影响，供应已开始紧张。SRAM及Flash部分产品在三、四季度陆续执行涨价，公司层面未给出具体幅度，但明确“涨价将持续”。
销量预期增长两成 新产能落地在明年下半年
君正股份在公告中给出了全年展望：2024年存储芯片销量预计同比增长20%左右。这一数字与当前行业整体走势基本吻合。据全球半导体贸易统计组织（WSTS）2024年6月发布的春季预测，2024年全球存储器市场规模预计同比增长超过40%，为所有半导体品类中增速最高。
供应端，君正股份现有产能利用率处于高位，新增产能资源则要等到2025年下半年才有望落地。这意味着在未来三到四个季度内，公司可售存储芯片的增量空间有限，若需求继续走强，涨价压力或进一步向客户端传导。业内分析人士指出，产能建设周期通常需要18至24个月，君正此番释放的产能落地时间点，与行业普遍预期的新一轮扩产节奏基本一致。
3D堆叠DRAM瞄准端侧AI 与算力公司配合推进
公告中另一项值得关注的信息是，君正股份的3D堆叠DRAM主要面向端侧AI应用，目前正与端侧芯片算力公司积极配合。所谓3D堆叠DRAM，是通过垂直堆叠存储单元来提升单位面积容量和带宽，在有限封装尺寸内满足端侧设备对内存吞吐的更高要求。
端侧AI的兴起正在改变嵌入式存储的规格需求。以往端侧设备的DRAM配置以容量优先，如今在本地运行大模型、实时语音交互、图像生成等场景下，带宽和功耗指标同样关键。与云端AI服务器使用的HBM（高带宽存储器）不同，端侧场景对成本、功耗和封装尺寸更敏感，3D堆叠技术提供了介于传统DRAM与HBM之间的中间路线。
周期上行中的机会与约束
涨价周期对存储原厂和设计公司通常意味着毛利率修复。君正股份作为国内少数同时布局DRAM、SRAM、Flash三条产品线的厂商，在供应紧张阶段具备一定的议价能力。不过，公司也面临明确约束：新增产能无法在短期内释放，销量增长更多依赖现有产线挖潜和产品结构升级。
从竞争格局看，全球DRAM市场仍由三星电子、SK海力士、美光科技三家企业主导。据集邦咨询（TrendForce）2024年5月发布的报告，三大原厂合计占据全球DRAM市场约95%的份额。君正股份所参与的利基型DRAM和嵌入式存储市场，竞争相对分散，客户结构也更偏工业控制、汽车电子和物联网设备，产品生命周期更长，价格波动幅度通常小于标准型产品。
风险与不确定性并存
当前存储涨价的核心支撑来自AI服务器需求。若四季度云厂商资本开支增速放缓，或AI服务器出货不及预期，存储价格上行动力可能减弱。此外，地缘政治因素导致的出口管制变化，也可能影响国内厂商获取先进封装设备和特定制程产能的能力。
君正股份在公告中并未披露3D堆叠DRAM的具体量产时间表，仅表示“正与端侧芯片算力公司积极配合”。从研发到量产通常需要经历工程验证、客户导入、良率爬坡等多个阶段，实际贡献营收的时间点仍存在不确定性。投资者需关注后续季度公告中该业务的进展表述。
本文由AI辅助生成
